Samsung je objavio da je počeo sa masovnom proizvodnjom 4GB DRAM modula HBM2 memorije namijenjene idućoj generaciji grafičkih kartica.

Kako prenosi PC Gamer, Samsung tvrdi da će njihova nova memorija biti čak sedam puta brža u odnosu na aktuelni limit DRAM memorije, te da će biti dvostruko efikasnija po pitanju potrošnje energije, što će doprinijeti kako paralelnom računarstvu i mašinskom učenju, tako i renderisanju kompjuterske grafike.

"Sa masovnom proizvodnjom iduće generacije HBM2 DRAM-a, možemo još više doprinijeti bržem prihvaćanju iduće generacije HPC sistema u internacionalnim kompanijama," izjavio je Sewon Chun, jedan od čelnika Samsungove Memory Marketing divizije, te dodao: "Također, korištenjem naše 3D memorijske tehnologije, možemo se proaktivno nositi sa višestrukim zahtjevima globalnog IT-a, istovremeno ojačavajući osnove za budući rast DRAM tržišta."

Samsungovi novi memorijski moduli nude propusnost od 256Gb/s, što je duplo više u odnosu na HBM1 DRAM memoriju, a iz kompanije su potvrdili da ove godine planiraju početi i sa proizvodnjom 8GB modula.

1/1